Transistörlerin küçültülmesi, elektronik cihazların performansını artırmak için kritik bir öneme sahiptir. Bilim insanları, transistör boyutlarını 1 nanometre altına düşürmenin yolunu buldu ve bu gelecekteki teknoloji devrimi için heyecan verici bir adım olarak kabul ediliyor.
IBS’deki Van der Waals Kuantum Katı Merkezi’nden Jo Moon-Ho liderliğindeki bir ekip, kontrollü katman büyümesi (epitaktik büyüme) adı verilen bir teknik kullanarak, Molybdändisülfid (MoS2) materyali ile inanılmaz derecede ince metal hatlar oluşturmayı başardı. MoS2’nin benzersiz özellikleri sayesinde, transistör için sadece 0,4 nanometre genişliğinde metal hatlar oluşturulabiliyor.
Bu hatlar, 2D yarı iletkenler için kapı elektrotları olarak kullanılabilmekte olup, transistörlerin boyutlarını önemli ölçüde küçültmektedir. Mevcut tahminlere göre, 2037 yılına kadar 0,5 nanometre büyüklüğünde yarı iletken düğümler ve 12 nanometre transistör kapı uzunlukları öngörülmektedir. Ancak bu yeni yöntemle, kapı uzunlukları 3,9 nanometreye kadar düşürülebilmektedir.
Samsung, 2026 yılına kadar 1 nanometre çipleri üretmeyi hedeflerken, TSMC ve Intel de benzer amaçlar doğrultusunda çalışmalarını sürdürmektedir. Fujitsu ise 150 çekirdekli bir işlemciyi 2 nanometre tasarımıyla piyasaya sürmeyi planlamaktadır. Bu gelişmeler, yarı iletken teknolojisinin geleceği için oldukça umut verici ve teknoloji dünyasında çok daha küçük cihazların hayatımıza gireceğini göstermektedir.
Siz de bu yeni teknoloji hakkında düşüncelerinizi paylaşmak ister misiniz? Yorumlarınızı aşağıdaki bölümde bizimle paylaşabilirsiniz.
0 Yorum