RAM teknolojilerinde lider konumunu koruyan Samsung, 2027 yılı için büyük planlarını açıkladı. Şirket, donanım teknolojilerinde çığır açacak yeni nesil bellekleri piyasaya sürmeye hazırlanıyor. Detaylara birlikte göz atalım.
0a nm DDR RAM’ler: Performans ve Kapasitede Yenilik
Samsung’un RAM departmanı başkanı Lee Jung-bae tarafından yapılan açıklamalara göre, şirket 2024 yılında 1c nm DDR bellekleriyle 32 Gb kapasite sunacak. Ardından 2026’da 1d nm DDR belleklere geçiş yapılacak. Ancak asıl dikkat çekici gelişme, 2027 yılında 10 nm altı üretim teknolojisine sahip 0a nm DDR RAM’lerin piyasaya sürülmesi olacak.
Yeni nesil 0a nm DDR RAM’ler, önceki nesillere göre çok daha güçlü olacak ve kapasitesi 48 Gb’a yükselerek performansı önemli ölçüde artıracak. Ayrıca, LPDDR5-PIM (Bellek İçi İşlem) teknolojisi de bu yeni belleklerde yer alacak. Bu teknoloji sayesinde sistemlerin enerji verimliliği %70 oranında artacak ve performans 8 kata kadar iyileşecek.
HBM Bellekler: Yüksek Performans ve Rekabet
Samsung’un RAM alanındaki yenilikleri sadece DDR RAM’lerle sınırlı değil. Şirket, 2026 yılında HBM4E belleklerini piyasaya sürerek SK Hynix ile rekabete hazırlanıyor. HBM bellekler, özellikle yüksek performans gerektiren uygulamalarda ve yapay zeka gibi ileri teknolojilerde büyük bir rol oynayacak.
2027’ye kadar beklemek belki zor olacak ancak Samsung’un bu yeni bellek teknolojileri, teknoloji severlere bekledikleri performansı ve verimliliği sunacak gibi görünüyor.
Siz de bu yenilikler hakkında neler düşünüyorsunuz? Samsung’un bellek teknolojilerindeki bu atılımı sektörde nasıl bir değişim yaratacak? Görüşlerinizi bizimle paylaşmayı unutmayın!
0 Yorum